ALD 原子層沉積

ALD 原子層沉積原理通過在工藝循環周期內分步向真空腔內添加前驅體、實現對膜層厚度的精確控制。區別于普通CVD或PECVD原理，ALD可沉積超薄的、無針孔和顆粒的膜層，例如在3D結構上沉積幾個納米厚的薄膜，同時具有出色的均勻性和優秀的保形比。

■ 轉接腔預留兩個端口，可升級增加ICP刻蝕反應腔模塊與ICPECVD沉積反應腔模塊，原控制軟件無需升級即可控制ICP、ICPECVD模塊

■ 熱原子層沉積T-ALD模塊：配制臭氧管路：配置獨立的臭氧管路，包括臭氧發生器、質量流量控制器

MFC、壓力傳感器等。臭氧發生量：≥ 6 g/h

■ 等離子增強原子層沉積PEALD模塊：配制臭氧管路：配置獨立的臭氧管路，包括臭氧發生器、質量流量控制器MFC、壓力傳感器、氣體探測器、閥門、控制機箱等。臭氧發生量：≥ 6 g/h

SENTECH ALD系統特別適用于納米科技、微系統應用、無機和有機半導體工程、以及器件鈍化。

ALD 原子層沉積 工藝：

使用三甲基鋁 TMA和水沉積氧化鋁

TMA 化學吸附

吹掃循環

水化學吸附

吹掃循環

應用

n 電子器件的鈍化層

n 有機材料的擴散阻擋層

n 晶體硅電池的鈍化

n 黏附層

n 3D結構的高保形比鍍膜

n 高k材料

n 光學鍍膜

n 擴散層

n 防腐蝕層

n 納米科技的功能層

n 生物醫學應用

SENTECH的原子層沉積腔室系統具有靈活的系統結構、適用于多種沉積模式和不同工藝。系統可升級更多的前驅體源和氣路、高真空泵、原位監測和其他選項。可在最大直徑200 mm的樣片上沉積氧化物（例如Al2O3，SiO2，HfO2, ZnO，ZrO2）、氮化物（例如AlN，Si3N4)、金屬等材料。除了標準熱ALD工藝，系統可擴展等離子體 源、實現低溫工藝。等離子增強原子層沉積系統（PEALD）在沉積工藝中使用氣體氧代替水作為氧化劑。一個電容耦合等離子體CCP源作為真正的遠程源、附在反應腔上部法蘭，沒有光線直接照射在樣片上。

PEALD沉積Al2O3膜：使用三甲基鋁TMA和等 離子生成氧原子（O），襯底溫度200°C，4 吋晶圓

厚度均勻性：33.3 nm ± 0.25 nm

折射率差異（632.8 nm）：1.627 ± 0.0025

SENTECH等離子工藝操作軟件

反應腔帶下電極（紅）、前驅體柜（黃）、 氣路（綠）、真空泵系統（青）、單片預真空室（藍）和CCP等離子體源（紫）